MCU 主频设置到240Mhz, 启用定时器，设置1us定时间隔(实际需要到100ns级别)，控制IO口，测量输出信号周期，方波信号周期为20us,离实际想要的精度差很多，请问怎么设置，才能到1us级别
不建议设置定于5us的定时值，中断的跳转以及中断函数的执行，本身也会占用时间，会导致结果和预期不符。ns级别的延时只能自己用延时或者空指令来调整实现。另外IO控制如果直接调用GPIO的接口也会导致延时增大，接口本身执行都已经超过延时时间了，可以考虑直接操作寄存器地址来控制IO
。
GPIO翻转慢问题,封装一个函数，通过bitband直接操作寄存器。
static void user_bitband_write(enum tls_io_name io, u8 val)
{
if(io > WM_IO_PA_15){
tls_bitband_write(HR_GPIOB_DATA, io - 16, val);
}
else{
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, io, val);
}
}ns延时问题，通过NOP指令，让CPU死等。
static void delay_ns(void)
{
uint32_t i;
for (i = 0; i < 13; i++)
{
__NOP();
}
}
在主线程里面跑了，delay_ns，还是只能到1.7us左右，还有其他方法，控制到100ns左右吗
static inline void delag_ns(uint32_t val)
{
uint32_t i = 0;
for(i = 0; i < val; i++){
__NOP();
}}
static inline void gpio_ctrl(uint8_t stat)
{
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_01, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_02, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_03, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_04, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_05, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_06, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_07, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_08, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_09, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_10, stat); }
void UserMain(void)
{
uint8_t stat = 0;
config_gpio();
while(1){
delag_ns(5);
stat = !stat;
gpio_ctrl(stat);
}}
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ns级别的延时只能自己用延时或者空指令来调整实现，这个需要咋实现啊，优点不理解