目的是希望写入一些不被轻易擦除的数据到 w801 内部 flash, 用户区烧结时选择擦除 flash, 就被擦除了, 所以想修改 FT_PARAM 结构:
typedef struct FT_PARAM_VER1
{
FT_PARAM_ST ft_param;
unsigned int ext_checksum;
FT_PARAM_ST_EXT_1 ft_ext1;
unsigned char _reversed[FT_PARAM_EXT_REVERSED_LEN];
}FT_PARAM_ST_VER1;
_reversed 是 32 字节, 这个我能加大些吗?
或者有其他方法不?
FT_PARAM_ST 里的 tx_gain 是哪个模块再用?
@solid_2022 发射增益, 影响发射功率